50倍杠杆 接口速度5.6 GT/s、超400层！三星将推出第10代V-NAND闪存
2024-12-07三星的这一新一代V-NAND保持了TLC架构，每个芯片的容量为1Tb点击收听本新闻听新闻 快科技12月5日消息，据媒体报道，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。 为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。 三星声称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密
互联网证劵融资 接口速度5.6 GT/s、超400层！三星将推出第10代V-NAND闪存
2024-12-07三星的这一新一代V-NAND保持了TLC架构，每个芯片的容量为1Tb点击收听本新闻听新闻 快科技12月5日消息，据媒体报道互联网证劵融资，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。 三星声称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm，略低于其1Tb 3D